Xəbərlər
Azərbaycanlı alimlərin məqaləsi yüksək impakt faktorlu (Cite Score -4,3; İF-2.4) Q-2 kvartilli jurnalda dərc olunmuşdur.
Sen 23, 2025 | 10:00 / Nəşrlər
Oxunub 1535 dəfə

AR ETN Kataliz və Qeyri-üzvi Kimya İnstitutu, Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti, AR ETN Radiasiya Problemləri İnstitutu, Bakı Mühəndislik Universitetinin  alimlərinin birgə apardıqları tədqiqat işlərinin nəticələri SCOPUS bazasında indeksləşən Solid State Communications ( Cite Score - 4.3,  İF-2.4, kvartil-Q2) jurnalında nəşr olunmuşdur.

Son illərdə çoxkomponentli yarımkeçirici birləşmələrin tədqiqi, onların (xüsusilə Mn, Fe, Ni əsaslı dördkomponentli birləşmələri) elektrik və dielektrik xassələrinin öyrənilməsi elmi cəhətdən aktual istiqamətlərdən biri sayılır. Bu sistemlərdə defekt strukturlarının çoxluğu, ion tərkibindəki dəyişkənlik və lokal simmetriya pozuntuları nəticəsində, relaksasiya dispersiyası və band‑hopping keçiriciliyi kimi qeyri-adi fiziki mexanizmlər ortaya çıxır. Məqalədə geniş temperatur intervalında FeGaInSe4 kristalınındielektrik nüfuzluğunun, dielektrik itki bucağı tangensinin və elektrik keçiriciliyinin dəyişən elektrik cərəyanının tezliyindən asılılığı tədqiq edilmişdir. Qeyd olunmuşdur ki, temperatur yüksəldikcə dielektrik nüfuzluğunun artması əsasən defektlərin qatılığının artması ilə bağlıdır və bu xüsusiyyət materialın temperatur sensorları kimi istiliyə həssas qurğularda istifadə imkanlarını göstərir. FeGaInSe4 kristalı üçün elektrik keçiriciliyinin  iki mexanizm ilə əlaqədar olduğu göstərilmişdir: zona və sıçrayış. Bu iki mexanizmin birgə mövcudluğu materialın müxtəlif temperatur şəraitində sabit işləməsini təmin edə bilər. Bu isə onu enerji yığıcıları, yaddaş elementləri və yarımkeçirici sensorlar kimi sahələr üçün perspektivli materiala çevirir.

Namiq N. Niftiyev, Faik M. Mammadov , Rauf M. Sardarli, Famin T. Salmanov, Najaf I. Orujov, Mahammad B. Babanly. Dielectric properties of FeGaInSe4 crystal in an alternating electric field. Solid State Communications.V. 405,  2025, 116134. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2025.116134

Namiq N. Niftiyev, Faiq M. Məmmədov, Rauf M. Sərdarlı, Famin T. Salmanov, Nəcəf İ. Orucov, Məhəmməd B. Babanlı. Dəyişən elektrik sahəsində FeGaInSe4 kristalının dielektrik xassələri. Solid State Communications. V. 405, 2025, 116134. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2025.116134

JURNALLAR
Faydalı linklər